图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 LT1122 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 100 |
| Amplifier 型 | J-FET |
| 数字电路 | 1 |
| Output 型 | - |
| 转换率 | 75 V/µs |
| 增益带宽积 | 13MHz |
| -3db带宽 | - |
| 电流 - 输入偏压 | 12pA |
| - 输入电压偏移 | 130µV |
| 电流 - 电源 | 7.8mA |
| 电流 - 输出/通道 | - |
| None | ±5 V ~ 18 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tube |
| 制造商类型 | High Speed Amplifier |
| 轨至轨 | No |
| 最大双电源电压 | ±20 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 类型 | General Purpose Amplifier |
| 最大输入偏置电流 | 0.0001@±15V |
| 最大电源电流 | 11@±15V |
| 典型增益带宽积 | 13 |
| 典型电压增益 | 113.06 |
| 电源类型 | Dual |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最低CMRR | 80 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最小双电源电压 | ±10 |
| 典型双电源电压 | ±12|±15|±18 |
| 关机支持 | No |
| 引脚数 | 8 |
| Maximum Input Offset Current | 0.00005@±15V |
| 最大输入失调电压 | 0.9@±15V |
| Minimum PSRR | 82 |
| 典型的转换率 | 75@±15V |
| 技术 | JFET |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 放大器类型 | J-FET |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 标准包装 | 100 |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 封装 | Tube |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电流 - 电源 | 7.8mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | ±5 V ~ 18 V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 压摆率 | 75 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 12pA |
| 电压 - 输入偏移 | 130µV |
| 电路数 | 1 |
| 增益带宽积 | 13MHz |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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