图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 LT1055,56 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 100 |
| Amplifier 型 | J-FET |
| 数字电路 | 1 |
| Output 型 | - |
| 转换率 | 12 V/µs |
| 增益带宽积 | 4.5MHz |
| -3db带宽 | - |
| 电流 - 输入偏压 | 30pA |
| - 输入电压偏移 | 500µV |
| 电流 - 电源 | 2.8mA |
| 电流 - 输出/通道 | - |
| None | ±5 V ~ 18 V |
| 操作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tube |
| 制造商类型 | High Speed Amplifier |
| 轨至轨 | No |
| 最大双电源电压 | ±20 |
| 类型 | General Purpose Amplifier |
| 最大输入偏置电流 | 0.00015@±15V |
| 最大电源电流 | 4@±15V |
| 典型增益带宽积 | 4.5 |
| 典型电压增益 | 112.04 |
| 电源类型 | Dual |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最低CMRR | 83 |
| 最低工作温度 | 0 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 70 |
| 最小双电源电压 | ±4 |
| 典型双电源电压 | ±5|±9|±12|±15|±18 |
| 关机支持 | No |
| 引脚数 | 8 |
| Maximum Input Offset Current | 0.00003@±15V |
| 最大输入失调电压 | 1.5@±15V |
| Minimum PSRR | 88 |
| 典型的转换率 | 12@±15V |
| 技术 | BiFET |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 放大器类型 | J-FET |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 标准包装 | 100 |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 封装 | Tube |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 电流 - 电源 | 2.8mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | ±5 V ~ 18 V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 压摆率 | 12 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 30pA |
| 电压 - 输入偏移 | 500µV |
| 电路数 | 1 |
| 增益带宽积 | 4.5MHz |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 输入失调电压 | 1.5 mV |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | 0C to 70C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 元件数 | 1 |
| 共模抑制比 | 83 dB |
| 工作温度分类 | Commercial |
| 输入偏置电流 | 0.15 nA |
| 电源要求 | Dual |
| Dual Supply Voltage (Min) | �4 V |
| 铁/铁I / O类型 | No |
| 关机功能 | No |
| 弧度硬化 | No |
| 单电源电压（最小值） | Not Required V |
| 单电源电压（最大值） | Not Required V |
| 单电源电压（典型值） | Not Required V |
| Dual Supply Voltage (Max) | �20 V |
| 电源抑制比 | 88 dB |
| 电压增益（dB） | 112.04 dB |
| 单位增益带宽积 | 4.5MHz |
| 删除 | Not Compliant |
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