1. IXXH100N60C3
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厂商型号

IXXH100N60C3 

产品描述

IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp

内部编号

184-IXXH100N60C3

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:20
1+¥86.2918
10+¥72.4112
100+¥68.2402
250+¥62.1547
500+¥58.1888
1000+¥53.3341
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:3
最小起订量:1
美国费城
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IXXH100N60C3产品详细规格

规格书 IXXH100N60C3 datasheet 规格书
IXXH100N60C3
IXXH100N60C3 datasheet 规格书
特色产品
标准包装 30
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 2.2V @ 15V, 70A
集电极电流(Ic)(最大) 190A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 380A
功率 - 最大 830W
Switching 能源 2mJ (on), 950µJ (off)
输入 型 Standard
栅极电荷 150nC
Td(开/关)@ 25°C 30ns/90ns
测试条件 360V, 70A, 2 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) -
包装材料 Tube
包/盒 TO-247-3 (TO-247AD)
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-247AD
动态目录 Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17423?mpart=IXXH100N60C3&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
栅极电荷 150nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 190A
安装类型 Through Hole
开关能量 2mJ (on), 950µJ (off)
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 30ns/90ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.2V @ 15V, 70A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247AD
封装 Tube
功率 - 最大 830W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 PT
测试条件 360V, 70A, 2 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 380A
工厂包装数量 30
连续集电极电流在25 C 190 A
最低工作温度 - 55 C
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
系列 IXXH100N60
集电极 - 发射极饱和电压 2.2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
单位重量 0.229281 oz
安装风格 Through Hole
功率耗散 830 W
最大栅极发射极电压 20 V
商品名 XPT
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
Pd - Power Dissipation 830 W
技术 Si

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