图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXTU1R4N60P 

产品描述

MOSFET 1.4 Amps 600V 9.0 Ohms Rds

内部编号

184-IXTU1R4N60P

生产厂商

IXYS

IXYS

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXTU1R4N60P产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.4A
Rds(最大)@ ID,VGS 9 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5.5V @ 25µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 5.2nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 140pF @ 25V
功率 - 最大 50W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装 TO-251
包装材料 Tube
最大门源电压 ±30
安装 Through Hole
包装宽度 2.38(Max)
PCB 3
最大功率耗散 50000
最大漏源电压 600
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 9000@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-251
标准包装名称 TO-251
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 6.22(Max)
最大连续漏极电流 1.4
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.4A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5.5V @ 25µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
标准包装 75
供应商设备封装 TO-251
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 9 Ohm @ 700mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 50W
封装/外壳 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 140pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 5.2nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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