规格书 |
IXT(H,Q,T)30N60L2 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 30A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 240 mOhm @ 15A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 335nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 10700pF @ 25V |
功率 - 最大 | 540W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
供应商器件封装 | TO-268 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 30A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
供应商设备封装 | TO-268 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 240 mOhm @ 15A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 540W |
标准包装 | 30 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 10700pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 335nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 30 A |
系列 | IXTT30N60 |
封装/外壳 | TO-268 |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 240 mOhms |
功率耗散 | 540 W |
下降时间 | 43 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
正向跨导 - 闵 | 10 S, 18 S |
典型关闭延迟时间 | 123 ns |
上升时间 | 65 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 335 nC |
栅源电压(最大值) | �20 V |
安装 | Surface Mount |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-268 |
引脚数 | 2 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
通道模式 | Enhancement |
漏源导通电压 | 600 V |
弧度硬化 | No |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
Qg - Gate Charge | 335 nC |
产品 | Linear L2 Power MOSFET |
品牌 | IXYS |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 30 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 240 mOhms |
典型导通延迟时间 | 43 ns |
Pd - Power Dissipation | 540 W |
技术 | Si |
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