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| 规格书 |
 IXTL2X200N085T |
| 文档 |
IXT Series 30/Oct/2012 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 25 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 85V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 112A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 152nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 供应商器件封装 | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 包装材料 | Tube |
| 标准包装名称 | ISOPLUS i5-Pac |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 26.42(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 150000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 6@10V |
| 最大漏源电压 | 85 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装宽度 | 5.21(Max) |
| 供应商封装形式 | ISOPLUS i5-Pac |
| 包装长度 | 20.29(Max) |
| PCB | 5 |
| 最大连续漏极电流 | 112 |
| 引脚数 | 5 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 112A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 85V |
| 供应商设备封装 | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 标准包装 | 25 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7600pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 152nC @ 10V |
| 封装/外壳 | ISOPLUSi5-Pak™ |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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