图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:33 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 60A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 40 mOhm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 73nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4530pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 500W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 60A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-263 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 40 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 500W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4530pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 73nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 系列 | IXTA60N20 |
| 单位重量 | 0.056438 oz |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
IXTA60N20T也可以通过以下分类找到
IXTA60N20T相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
