1. IXFX90N30
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厂商型号

IXFX90N30 

产品描述

MOSFET 300V 90A

内部编号

184-IXFX90N30

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:71
最小起订量:1
美国费城
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IXFX90N30产品详细规格

规格书 IXFX90N30 datasheet 规格书
IXF(X,K)90N30
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 300V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 90A
Rds(最大)@ ID,VGS 33 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 8mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 360nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 10000pF @ 25V
功率 - 最大 560W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 PLUS247™-3
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.21(Max)
通道模式 Enhancement
标准包装名称 PLUS 247
包装高度 21.34(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 560000
渠道类型 N
最大漏源电阻 33@10V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 300
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 PLUS 247
包装长度 16.13(Max)
PCB 3
最大连续漏极电流 90
引脚数 3
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 90A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 8mA
漏极至源极电压(Vdss) 300V
供应商设备封装 PLUS247™-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 33 mOhm @ 45A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 560W
标准包装 30
输入电容(Ciss ) @ VDS 10000pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 360nC @ 10V
封装/外壳 TO-247-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 90 A
封装/外壳 PLUS 247
下降时间 40 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.257500 oz
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 70 s
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 100 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 IXFX90N30
RDS(ON) 33 mOhms
安装风格 Through Hole
功率耗散 560 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 55 ns
漏源击穿电压 300 V
漏极电流(最大值) 90 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.033 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 PLUS 247
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 300 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
宽度 5.21 mm
品牌 IXYS
通道数 1 Channel
商品名 HyperFET
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 90 A
长度 16.13 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 33 mOhms
身高 21.34 mm
典型导通延迟时间 42 ns
Pd - Power Dissipation 560 W
技术 Si

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