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| 规格书 |
 IXFH22N50P, IXFV22N50P/PS |
| 文档 |
Multiple Devices 16/Dec/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 22A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 50nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2630pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 350W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3, Short Tab |
| 供应商器件封装 | PLUS220 |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 4.7(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | PLUS220 |
| 包装高度 | 15(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 350000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 270@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | PLUS 220 |
| 包装长度 | 11(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 22 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 22A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | PLUS220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 270 mOhm @ 11A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 350W |
| 封装/外壳 | TO-220-3, Short Tab |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2630pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 50nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 22 A |
| 下降时间 | 21 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.105822 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 20 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | IXFV22N50 |
| RDS（ON） | 270 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 350 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 25 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
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