图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:30 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:80 |
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最小起订量:2 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:90 |
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最小起订量:2 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 IXFx20N50P3 |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 300 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 1.5mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 36nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 380W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 1.5mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 300 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 380W |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 36nC @ 10V |
| 系列 | IXFQ20N50 |
| 商品名 | HiPerFET |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 15.8mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1800 pF @ 25 V |
| 系列 | HiperFET, Polar3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 20.3mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 380 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 4.9mm |
| 尺寸 | 15.8 x 4.9 x 20.3mm |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关断延迟时间 | 43 ns |
| 封装类型 | TO-3P |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V to 5 V |
| Qg - Gate Charge | 36 nC |
| 下降时间 | 9 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 品牌 | IXYS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 11 S |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 300 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 380 W |
| 上升时间 | 5 ns |
| 技术 | Si |
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