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厂商型号

CPC5602C 

产品描述

MOSFET MOSFET N-CHANNEL 350V

内部编号

184-CPC5602C

生产厂商

IXYS

IXYS

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

CPC5602C产品详细规格

规格书 CPC5602C datasheet 规格书
CPC5602
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 80
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Depletion Mode
漏极至源极电压(VDSS) 350V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5mA
Rds(最大)@ ID,VGS 14 Ohm @ 50mA, 350mV
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 300pF @ 0V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 3.5
PCB 3
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 350
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 14000@0.35V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -40
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 85
渠道类型 N
包装长度 6.5
引脚数 4
通道模式 Depletion
包装高度 1.6
最大连续漏极电流 0.005
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Depletion Mode
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5mA (Ta)
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装 SOT-223
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 14 Ohm @ 50mA, 350mV
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
标准包装 1,000
漏极至源极电压(Vdss) 350V
输入电容(Ciss ) @ VDS 300pF @ 0V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 100
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 + / - 20 V
连续漏极电流 5 mA
系列 CPC5602
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 14 Ohms
功率耗散 2.5 W
最低工作温度 - 40 C
配置 Single Dual Drain
最高工作温度 + 85 C
漏源击穿电压 350 V
RoHS RoHS Compliant

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