IS64WV51216BLL-10MA3-TR

产品描述

SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM

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规格书	IS61,64WV51216ALL,BLL
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	2,000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM - Asynchronous
内存大小	8M (512K x 16)
速度	10ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.4 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 125°C
包/盒	48-TFBGA
供应商器件封装	48-miniBGA (9x11)
包装材料	Tape & Reel (TR)
封装	Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器	RAM
标准包装	2,000
供应商设备封装	48-miniBGA (9x11)
内存类型	SRAM - Asynchronous
工作温度	-40°C ~ 125°C
存储容量	8M (512K x 16)
电压 - 电源	2.4 V ~ 3.6 V
封装/外壳	48-TFBGA
接口	Parallel
速度	10ns
最大工作电流	140 mA
产品种类	SRAM
工厂包装数量	2000
系列	IS64WV51216BLL
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.6 V
访问时间	10 ns
最低工作温度	- 40 C
电源电压 - 最小	2.4 V
最高工作温度	+ 125 C
类型	Asynchronous
RoHS	No
品牌	ISSI
数据传输速率	SDR
端口数	1
电源电流 - 最大	140 mA

型号	厂家	产品描述
IS64WV51216BLL-10MA3	ISSI	SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
IS64WV51216BLL-10CTLA3	ISSI	SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
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IS64WV51216BLL-10MLA3	ISSI	SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
IS64WV51216BLL-10MLA3-TR	ISSI	SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
IS64WV51216EDBLL10CTLA3TR	Integrated Silicon Solution Inc
IS64WV102416BLL-10CTLA3	ISSI	SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM
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IS64WV102416BLL-10MA3-TR	ISSI	SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM
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IS64WV102416BLL-10MLA3-TR	ISSI	SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM
IS64WV102416BLL-10TA3	ISSI	SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM
IS64WV102416BLL-10TA3-TR	ISSI	SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM
IS64WV10248BLL-10CTLA3	ISSI	SRAM 8M (1Mx8) 10ns Async SRAM
IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR	ISSI	SRAM 8M (1Mx8) 10ns Async SRAM
IS64WV12816BLL-15TLA3	Integrated Silicon Solution Inc	SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 15ns 44-Pin TSOP-II
IS64WV12816BLL-15TLA3-TR	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 15ns 2.5V-3.6V
IS64WV12816BLL15TA3	Integrated Silicon Solution Inc	SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 15ns 44-Pin TSOP-II
IS64WV12816DBLL-12BLA3	ISSI	SRAM 2Mb, 128Kx16, 8ns Async SRAM

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