1. IS42S16400J-6TL
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厂商型号

IS42S16400J-6TL 

产品描述

DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

内部编号

180-IS42S16400J-6TL

#1

数量:2002
1+¥14.9479
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美国费城
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#2

数量:1875
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#3

数量:25910
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IS42S16400J-6TL产品详细规格

规格书 IS42S16400J-6TL datasheet 规格书
IS42S16400J-6TL datasheet 规格书
IS42/45S16400J
IS42S16400J-6TL datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 108
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 SDRAM
内存大小 64M (4M x 16)
速度 166MHz
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 3 V ~ 3.6 V
操作温度 0°C ~ 70°C
包/盒 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
供应商器件封装 54-TSOP II
包装材料 Tray
包装 54TSOP-II
类型 SDRAM
密度 64 Mb
地址总线宽度 14 Bit
工作电源电压 3.3 V
最大时钟频率 166 MHz
最大随机存取时间 5.4 ns
工作温度 0 to 70 °C
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 10.29(Max)
组织 4Mx16
PCB 54
筛选等级 Commercial
地址总线宽度 14
典型工作电源电压 3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 64M
内部银行的数量 4
最低工作温度 0
供应商封装形式 TSOP-II
标准包装名称 TSOP
最高工作温度 70
最大时钟频率 166
数据总线宽度 16
包装长度 22.42(Max)
最低工作电源电压 3
引脚数 54
最大工作电流 100
包装高度 1.05(Max)
最大随机存取时间 5.4
每行字数 1M
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Gull-wing
封装 Tray
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 54-TSOP II
内存类型 SDRAM
存储容量 64M (4M x 16)
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
接口 Parallel
速度 166MHz
封装/外壳 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
最大工作电流 80 mA
数据总线宽度 16 bit
工厂包装数量 108
系列 IS42S16400J-6
电源电压 - 最大 3.6 V
RoHS RoHS Compliant
封装/外壳 TSOP-54
最大时钟频率 166 MHz
电源电压 - 最小 3 V
最高工作温度 + 70 C
访问时间 6 ns
品牌 ISSI
安装风格 SMD/SMT
电源电流 - 最大 100 mA
最低工作温度 0 C

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