图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

TISP61511DR 

产品描述

SCRs Dual P Gate Forward Conducting

内部编号

18-TISP61511DR

生产厂商

Bourns

BOURNS

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

TISP61511DR产品详细规格

规格书 TISP61511DR datasheet 规格书
Status Obsolete
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最大击穿电压 58
重复峰值反向电压 100
最高工作温度 150
最大保持电流 150(Min)
安装 Surface Mount
重复峰值断态电流 0.005
浪涌额定电流 5
峰值通态电压 4@3A
重复峰值正向阻断电压 100
包装高度 1.55(Max)
封装 Tape and Reel
欧盟RoHS指令 Not Compliant
包装宽度 4(Max)
PCB 8
包装长度 5(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 8
铅形状 Gull-wing

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