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| 规格书 |
 BD645/47/49/51 |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 2.5V @ 50mA, 5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 750 @ 3A, 3V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/33482?mpart=BD651-S&vendor=118&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
| 包装 | 3TO-220 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 120 V |
| 峰值直流集电极电流 | 8 A |
| 最小直流电流增益 | 750@3A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@12mA@3A|2.5@50mA@5A V |
| 最大集电极基极电压 | 140 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大的基射极饱和电压 | 3@50mA@5A |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@12mA@3A|2.5@50mA@5A |
| 包装宽度 | 4.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 62500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 120 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 140 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 8 |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 8.72(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2.5V @ 50mA, 5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 3A, 3V |
| 其他名称 | BD651S |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 8 A |
| 集电极 - 基极电压 | 140 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 120 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 750 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 3 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 8 A |
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