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厂商型号

IRL3302SPBF 

产品描述

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 8.7nC

内部编号

176-IRL3302SPBF

#1

期货
1 ¥0.787

订购说明

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IRL3302SPBF产品详细规格

规格书 IRL3302SPBF datasheet 规格书
IRL3302SPbF
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 39A
Rds(最大)@ ID,VGS 20 mOhm @ 23A, 7V
VGS(TH)(最大)@ Id 700mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 31nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1300pF @ 15V
功率 - 最大 57W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tube
最大门源电压 ±10
安装 Surface Mount
包装宽度 9.65(Max)
PCB 2
最大功率耗散 57000
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 20@7V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 D2PAK
标准包装名称 D2PAK
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.67(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 4.83(Max)
最大连续漏极电流 39
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 39A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 700mV @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
标准包装 50
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 20 mOhm @ 23A, 7V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 57W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 1300pF @ 15V
其他名称 *IRL3302SPBF
闸电荷(Qg ) @ VGS 31nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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