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厂商型号

IRG4PH40UD2-EP 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

内部编号

176-IRG4PH40UD2-EP

#1

数量:392
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IRG4PH40UD2-EP产品详细规格

规格书 IRG4PH40UD2-EP datasheet 规格书
IRG4PH40UD2-EP datasheet 规格书
IRG4PH40UD2-EP datasheet 规格书
标准包装 25
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 3.1V @ 15V, 21A
集电极电流(Ic)(最大) 41A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 82A
功率 - 最大 160W
Switching 能源 3660µJ
输入 型 Standard
栅极电荷 100nC
Td(开/关)@ 25°C 22ns/100ns
测试条件 800V, 21A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) 50ns
包装材料 Bulk
包/盒 TO-247-3 (TO-247AD)
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-247AD
动态目录 Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17421?mpart=IRG4PH40UD2-EP&vendor=21&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
包装 3TO-247AD
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 41 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
栅极电荷 100nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 41A
安装类型 Through Hole
开关能量 3660µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 22ns/100ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.1V @ 15V, 21A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-247AD
反向恢复时间(trr ) 50ns
封装 Bulk
功率 - 最大 160W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
测试条件 800V, 21A, 10 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 82A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 25
集电极 - 发射极饱和电压 3.1 V
连续集电极电流在25 C 41 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 kV
安装风格 Through Hole
功率耗散 160 W
最低工作温度 - 55 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 41 A
集电极 - 发射极电压 1200 V
包装类型 TO-247AD
引脚数 3 +Tab
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
渠道类型 N
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
associated FK 243 MI 247 O
FK 243 MI 247 H
SK 145/25 STS-220
MK3311
K177-NA-403+BQ35

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