1. IRFSL38N20DPBF
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厂商型号

IRFSL38N20DPBF 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 200V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262

内部编号

176-IRFSL38N20DPBF

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IRFSL38N20DPBF产品详细规格

规格书 IRFSL38N20DPBF datasheet 规格书
IRFSL38N20DPBF datasheet 规格书
XPackage TO-262
包装 3TO-262
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 38 A
RDS -于 54@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 16 ns
典型上升时间 95 ns
典型关闭延迟时间 29 ns
典型下降时间 47 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
类别 Power MOSFET
渠道类型 N
配置 Single
外形尺寸 10.54 x 4.69 x 10.54mm
身高 10.54mm
长度 10.54mm
最大漏源电阻 0.054 Ω
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 3.8 W
最低工作温度 -55 °C
安装类型 Through Hole
每个芯片的元件数 1
包装类型 TO-262
引脚数 3
典型栅极电荷@ VGS 60 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 2900 pF V @ 25
宽度 4.69mm
RoHS指令 Compliant
案例 TO262
Transistor kind HEXFET
Transistor type N-MOSFET
功率 320W
Drain-source voltage 200V
极化 unipolar
Drain current 44A
Multiplicity 1
Gross weight 0.43 g
Collective package [pcs] 50
spg 50

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