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| 规格书 |
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| 文档 |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 195A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.5 mOhm @ 170A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 300nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 8970pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 375W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 270 A |
| RDS -于 | 2.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 典型上升时间 | 182 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 118 ns |
| 典型下降时间 | 189 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 195A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.5 mOhm @ 170A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 375W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8970pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 300nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻 | 0.003 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | D2PAK |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 200 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 8970 pF V @ 50 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 270 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 375 W |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 200 nC |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.0025 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :270A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :2mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :375W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Capacitance Ciss Typ | :8970pF |
| Current Id Max | :270A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Pulse Current Idm | :1080A |
| Reverse Recovery Time trr Typ | :44ns |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :60V |
| Voltage Vgs Max | :4V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
| Voltage Vgs th Min | :2V |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 案例 | D2PAK |
| Gate charge | 200nC |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 375W |
| Drain-source voltage | 60V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 270A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 2.79 g |
| gate-source voltage | 20V |
| On-state resistance | 2.5mΩ |
| Collective package [pcs] | 50 |
| Junction-to-case thermal resistance | 400mK/W |
| spg | 50 |
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