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数量:10001 |
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| 规格书 |
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| 文档 |
IRFH8324TR2PBF Saber Model IRFH8324TR2PBF Spice Model Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Additional Assembly Site PQFN Devices 14/Nov/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 23A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 4.1 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.35V @ 50µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 31nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2380pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 3.6W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PQFN (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8PQFN EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 23 A |
| RDS -于 | 4.1@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 26 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 典型下降时间 | 8.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 23A (Ta), 90A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.35V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PQFN (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.1 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.6W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2380pF @ 10V |
| 其他名称 | IRFH8324TRPBFTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 31nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 90 A |
| RDS（ON） | 6.3 mOhms |
| 功率耗散 | 54 W |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 14 nC |
| 删除 | Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | PQFN EP |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 案例 | PQFN5X6 |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 3.6W |
| Drain-source voltage | 30V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 23A |
| Multiplicity | 4000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 4000 |
| spg | 4000 |
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