图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
期货 |
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| 规格书 |
 IRFH7446(TR)PbF |
| 文档 |
IRF7103IPBF Device 13/Nov/2013 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| 特色产品 | |
| 标准包装 | 400 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 85A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3.3 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.9V @ 100µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 98nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3174pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 78W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TQFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 5.75 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 78000 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 3.3@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | PQFN |
| 标准包装名称 | QFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 4.98 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.03 |
| 最大连续漏极电流 | 117 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 85A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.9V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 1 |
| 供应商设备封装 | 8-PQFN (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.3 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 78W |
| 封装/外壳 | 8-TQFN Exposed Pad |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3174pF @ 25V |
| 其他名称 | IRFH7446TR2PBFCT |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 98nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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