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数量:10001 |
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| 规格书 |
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| 文档 |
IRFH5110TR2PBF Saber Model IRFH5110TR2PBF Spice Model Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 100µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 72nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3152pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.6W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerVQFN |
| 供应商器件封装 | PQFN (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8QFN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 10 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 12.4@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.8 ns |
| 典型上升时间 | 9.6 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 典型下降时间 | 6.4 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 6 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 3600 |
| 最大漏源电压 | 10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 12.4@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | QFN |
| 标准包装名称 | QFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5 |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 0.81 |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Ta), 63A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | PQFN (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.6W |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3152pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 72nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 63 A |
| RDS（ON） | 12.4 mOhms |
| 功率耗散 | 114 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 48 nC |
| 漏极电流（最大值） | 11 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.0124 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 10 V |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 包装类型 | QFN |
| 删除 | Compliant |
| 案例 | PQFN5X6 |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 3.6W |
| Drain-source voltage | 100V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 11A |
| Multiplicity | 4000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 4000 |
| spg | 4000 |
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