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数量:10001 |
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| 规格书 |
 IRF9910PbF |
| 文档 |
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10A, 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 9.3 mOhm @ 12A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.55V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A, 12A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.55V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.3 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 4,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 900pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF9910PBFDKR |
| 案例 | SO8 |
| Transistor type | N-MOSFET x2 |
| 功率 | 2W |
| Drain-source voltage | 20V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 10A |
| Multiplicity | 4000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 4000 |
| spg | 4000 |
| associated | 80-4-5 |
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