图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IRF9389PbF |
| 文档 |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.8A, 4.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 27 mOhm @ 6.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.3V @ 10µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 398pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | * |
| 动态目录 | N and P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-and-p-channel-logic-level-gate-fets/16915?mpart=IRF9389TRPBF&vendor=21&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | * |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.8A, 4.6A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.3V @ 10µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 27 mOhm @ 6.8A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 4,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 398pF @ 15V |
| 其他名称 | IRF9389TRPBFTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 连续漏极电流 | 6.8 A, - 4.6 A |
| 系列 | IRF939 |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 功率耗散 | 2 W |
| 商品名 | HEXFET |
| 正向跨导 - 闵 | 8.2 S, 4.1 S |
| 栅极电荷Qg | 6.8 nC, 8.1 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 4.9 ns, 17 ns |
| 上升时间 | 4.8 ns, 14 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V, - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3.9 ns, 15 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| Closing resistance | 27 mOhm |
| Drain current | -4.6 A |
| Operating temperature | -55...+150 °C |
| Housing type | SO-8 |
| Drain source voltage | 20 V |
| Variants | Enhancement mode |
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