图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IRF9383M(TR)PbF |
| 文档 |
IRF9383MTR1PBF Saber Model IRF9383MTR1PBF Spice Model DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IRF9383MTR(1)PBF 26/Jul/2013 |
| 设计资源 | IRF9383MTR1PBF Saber 模式 l |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 22A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.9 mOhm @ 22A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.4V @ 150µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 130nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 7305pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | DirectFET™ Isometric MX |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | P-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-standard-fets/16619?mpart=IRF9383MTR1PBF&vendor=21&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 22A (Ta), 160A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.4V @ 150µA |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric MX |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其他名称 | IRF9383MTR1PBFTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.9 mOhm @ 22A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7305pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 130nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 160 A |
| 正向跨导 - 闵 | 56 S |
| RDS（ON） | 3.8 mOhms |
| 功率耗散 | 113 W |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 栅极电荷Qg | 67 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 上升时间 | 160 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 110 ns |
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