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数量:12 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:12 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:1625 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
IRF7769L1TRPbF |
| 文档 |
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Ta), 124A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric L8 |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET L8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.5 mOhm @ 74A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.3W |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 11560pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 300nC @ 10V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 商品名 | DirectFET |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Ta), 124A (Tc) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF7769L1TRPBFCT |
| 案例 | DirectFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 100V |
| 功率 | 3.3W |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 20A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.154 mg |
| On-state resistance | 0.0028Ω |
| 安装 | SMD |
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