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#1 |
期货 |
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| 规格书 |
 IRF7738L2TR(1)PBF |
| 文档 |
DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 315A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.6 mOhm @ 109A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 194nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 7471pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | DirectFET™ Isometric L6 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET L6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 35A (Ta), 184A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric L6 |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET L6 |
| 其他名称 | IRF7738L2TRPBFTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.6 mOhm @ 109A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.3W |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7471pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 194nC @ 10V |
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