1. IRF7484Q
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厂商型号

IRF7484Q 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin SOIC

内部编号

176-IRF7484Q

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IRF7484Q产品详细规格

规格书 IRF7484Q datasheet 规格书
IRF7484Q
文档 IRF7484Q Saber Model
IRF7484Q Spice Model
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 95
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 14A
Rds(最大)@ ID,VGS 10 mOhm @ 14A, 7V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 100nC @ 7V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3520pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SO
包装材料 Tube
最大门源电压 ±8
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SOIC
包装高度 1.5(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 2500
渠道类型 N
最大漏源电阻 10@7V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 40
每个芯片的元件数 1
包装宽度 4(Max)
供应商封装形式 SOIC
包装长度 5(Max)
PCB 8
最大连续漏极电流 14
引脚数 8
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 14A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
标准包装 95
供应商设备封装 8-SO
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 10 mOhm @ 14A, 7V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
输入电容(Ciss ) @ VDS 3520pF @ 25V
其他名称 *IRF7484Q
闸电荷(Qg ) @ VGS 100nC @ 7V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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