规格书 |
![]() IRF7477PbF |
文档 |
IRF7477 Spice Model IRF7477 Saber Model |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 95 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 14A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.5 mOhm @ 14A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 38nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2710pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | SOIC |
包装高度 | 1.5(Max) |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 2500 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 8.5@10V |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 4(Max) |
供应商封装形式 | SOIC |
包装长度 | 5(Max) |
PCB | 8 |
最大连续漏极电流 | 14 |
引脚数 | 8 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 14A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 95 |
供应商设备封装 | 8-SO |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8.5 mOhm @ 14A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2710pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 38nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏极电流(最大值) | 14 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
功率耗散 | 2.5 W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.0085 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOIC |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 30 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
连续漏极电流 | 14 A |
删除 | Compliant |
案例 | SO8 |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 2.5W |
Drain-source voltage | 30V |
极化 | unipolar |
Drain current | 14A |
Multiplicity | 1 |
Gross weight | 0.43 g |
Collective package [pcs] | 95 |
spg | 95 |
associated | RE932-01 EYGA121807A EYGA091203SM ICK SMD A 5 SA |
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