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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRF7477PBF 

产品描述

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 25nC

内部编号

176-IRF7477PBF

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

IRF7477PBF产品详细规格

规格书 IRF7477PBF datasheet 规格书
IRF7477PbF
文档 IRF7477 Spice Model
IRF7477 Saber Model
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 95
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 14A
Rds(最大)@ ID,VGS 8.5 mOhm @ 14A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 38nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2710pF @ 15V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SO
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SOIC
包装高度 1.5(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 2500
渠道类型 N
最大漏源电阻 8.5@10V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
包装宽度 4(Max)
供应商封装形式 SOIC
包装长度 5(Max)
PCB 8
最大连续漏极电流 14
引脚数 8
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 14A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 95
供应商设备封装 8-SO
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 8.5 mOhm @ 14A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
输入电容(Ciss ) @ VDS 2710pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 38nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏极电流(最大值) 14 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
功率耗散 2.5 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.0085 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOIC
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 14 A
删除 Compliant
案例 SO8
Transistor type N-MOSFET
功率 2.5W
Drain-source voltage 30V
极化 unipolar
Drain current 14A
Multiplicity 1
Gross weight 0.43 g
Collective package [pcs] 95
spg 95
associated RE932-01
EYGA121807A
EYGA091203SM
ICK SMD A 5 SA

IRF7477PBF系列产品

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