图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IRF7304PbF |
| 文档 |
IRF7304 Saber Model IRF7304 Spice Model |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 700mV @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 610pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 4.3 A |
| RDS -于 | 90@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.4 ns |
| 典型上升时间 | 26 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 典型下降时间 | 33 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 90@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 4.3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.3A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 700mV @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 610pF @ 15V |
| 其他名称 | IRF7304PBFTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏极电流（最大值） | 4.3 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �12 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.09 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 4.3 A |
| 删除 | Compliant |
| Current,Drain | -4.3A |
| GateCharge,Total | 22nC |
| PackageType | SO-8 |
| 极化方式 | P-Channel |
| PowerDissipation | 2W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.09Ohms |
| Temperature,Operating | -55to150°C |
| ThermalResistance,JunctiontoAmbient | 62.5°C/W |
| Time,Turn-OffDelay | 51ns |
| Time,Turn-OnDelay | 8.4ns |
| Transconductance,Forward | 4S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | -20V |
| Voltage,Forward,Diode | -1V |
| Voltage,GatetoSource | ±12V |
| 案例 | SO8 |
| Transistor type | P-MOSFET x2 |
| 功率 | 2W |
| Drain-source voltage | -20V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | -4.3A |
| Multiplicity | 4000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 4000 |
| spg | 4000 |
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