#1 |
数量:50 |
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最小起订金额:¥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:50 |
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最小起订金额:¥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:4760 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
IRF6717MTR1PBF Saber Model IRF6717MTR1PBF Spice Model DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 MSL Update 20/Feb/2014 Multiple Devices 20/Dec/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 4,800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 25V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 38A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.25 mOhm @ 38A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.35V @ 150µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 69nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6750pF @ 13V |
功率 - 最大 | 2.8W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | DirectFET™ Isometric MX |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 7Direct-FET MX |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 25 V |
最大连续漏极电流 | 38 A |
RDS -于 | 1.25@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 25 ns |
典型上升时间 | 37 ns |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
典型下降时间 | 15 ns |
工作温度 | -40 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 38A (Ta), 200A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.35V @ 150µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
供应商设备封装 | DIRECTFET™ MX |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.25 mOhm @ 38A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.8W |
封装/外壳 | DirectFET™ Isometric MX |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6750pF @ 13V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 69nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 4800 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 220 A |
RDS(ON) | 2.1 mOhms |
功率耗散 | 96 W |
商品名 | DirectFET |
漏源击穿电压 | 25 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 46 nC |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 38A (Ta), 200A (Tc) |
其他名称 | IRF6717MTRPBFCT |
案例 | DirectFET |
Transistor kind | HEXFET |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 96W |
Drain-source voltage | 25V |
极化 | unipolar |
Drain current | 38A |
Multiplicity | 1 |
Gross weight | 0.08 g |
Collective package [pcs] | 50 |
spg | 50 |
associated | 80-4-5 |
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