图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
期货 |
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| 规格书 |
 IRF6645 |
| 文档 |
IRF6645 Spice Model IRF6645 Saber Model |
| 设计资源 | IRF6645 Saber 模式 l |
| 标准包装 | 4,800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.9V @ 50µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 20nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 890pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | DirectFET™ Isometric SJ |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ SJ |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | Direct-FET |
| 包装高度 | 0.53(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 3000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 35@10V |
| 最低工作温度 | -40 |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 3.95(Max) |
| 供应商封装形式 | Direct-FET SJ |
| 包装长度 | 3.95(Max) |
| PCB | 7 |
| 最大连续漏极电流 | 5.7 |
| 引脚数 | 7 |
| 铅形状 | Gull-wing|No Lead |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.9V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 4,800 |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET™ SJ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric SJ |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 890pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 10V |
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