图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IRF6636 |
| 文档 |
DirectFET MOSFET 4Ps Checklist IRF6636 Spice Model IRF6636 Saber Model |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 4,800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 18A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 4.5 mOhm @ 18A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.45V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2420pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2.2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | DirectFET™ Isometric ST |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | Direct-FET |
| 包装高度 | 0.53(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 2200 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 4.5@10V |
| 最低工作温度 | -40 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 3.95(Max) |
| 供应商封装形式 | Direct-FET ST |
| 包装长度 | 3.95(Max) |
| PCB | 7 |
| 最大连续漏极电流 | 18 |
| 引脚数 | 7 |
| 铅形状 | Gull-wing|No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Ta), 81A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.45V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 4,800 |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET™ ST |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.5 mOhm @ 18A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.2W |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric ST |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2420pF @ 10V |
| 其他名称 | IRF6636TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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