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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRF6613TRPBF 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R

内部编号

176-IRF6613TRPBF

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

IRF6613TRPBF产品详细规格

规格书 IRF6613TRPBF datasheet 规格书
IRF6613TRPBF datasheet 规格书
文档 IRF6613 Spice Model
IRF6613 Saber Model
DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 23A
Rds(最大)@ ID,VGS 3.4 mOhm @ 23A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.25V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 63nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5950pF @ 15V
功率 - 最大 2.8W
安装类型 Surface Mount
包/盒 DirectFET™ Isometric MT
供应商器件封装 DIRECTFET™ MT
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 7Direct-FET MT
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 40 V
最大连续漏极电流 23 A
RDS -于 3.4@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 18 ns
典型上升时间 47 ns
典型关闭延迟时间 27 ns
典型下降时间 4.9 ns
工作温度 -40 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 Direct-FET
最低工作温度 -40
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 3.4@10V
最大漏源电压 40
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 Direct-FET MT
最大功率耗散 2800
最大连续漏极电流 23
引脚数 7
铅形状 Gull-wing|No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 23A (Ta), 150A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.25V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
供应商设备封装 DIRECTFET™ MT
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.4 mOhm @ 23A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.8W
封装/外壳 DirectFET™ Isometric MT
输入电容(Ciss ) @ VDS 5950pF @ 15V
其他名称 IRF6613TRPBFTR
闸电荷(Qg ) @ VGS 63nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 4800
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 23 A
RDS(ON) 4.1 mOhms
功率耗散 89 W
商品名 DirectFET
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 42 nC
案例 DirectFET
Transistor type N-MOSFET
功率 89W
Drain-source voltage 40V
极化 unipolar
Drain current 23A
Multiplicity 4800
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 4800
spg 4800

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