规格书 |
IRF6611 |
文档 |
DirectFET MOSFET 4Ps Checklist IRF6611 Saber Model IRF6611 Spice Model |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
标准包装 | 4,800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 32A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.6 mOhm @ 27A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.25V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 56nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4860pF @ 15V |
功率 - 最大 | 3.9W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | DirectFET™ Isometric MX |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
供应商封装形式 | Direct-FET MX |
标准包装名称 | Direct-FET |
欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
包装高度 | 0.53(Max) |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 5.05(Max) |
PCB | 7 |
包装长度 | 5.45(Max) |
引脚数 | 7 |
铅形状 | Gull-wing|No Lead |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 32A (Ta), 150A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.25V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 4,800 |
供应商设备封装 | DIRECTFET™ MX |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.6 mOhm @ 27A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.9W |
封装/外壳 | DirectFET™ Isometric MX |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4860pF @ 15V |
其他名称 | IRF6611TR |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 56nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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