1. IRF6611
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厂商型号

IRF6611 

产品描述

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX

内部编号

176-IRF6611

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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IRF6611产品详细规格

规格书 IRF6611 datasheet 规格书
IRF6611
文档 DirectFET MOSFET 4Ps Checklist
IRF6611 Saber Model
IRF6611 Spice Model
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 4,800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 32A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.6 mOhm @ 27A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.25V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 56nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4860pF @ 15V
功率 - 最大 3.9W
安装类型 Surface Mount
包/盒 DirectFET™ Isometric MX
供应商器件封装 DIRECTFET™ MX
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 Direct-FET MX
标准包装名称 Direct-FET
欧盟RoHS指令 Not Compliant
包装高度 0.53(Max)
安装 Surface Mount
包装宽度 5.05(Max)
PCB 7
包装长度 5.45(Max)
引脚数 7
铅形状 Gull-wing|No Lead
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 32A (Ta), 150A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.25V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 4,800
供应商设备封装 DIRECTFET™ MX
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.6 mOhm @ 27A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.9W
封装/外壳 DirectFET™ Isometric MX
输入电容(Ciss ) @ VDS 4860pF @ 15V
其他名称 IRF6611TR
闸电荷(Qg ) @ VGS 56nC @ 4.5V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

IRF6611系列产品

订购IRF6611.产品描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX. 生产商: International Rectifier.芯天下有低价

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