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数量:10001 |
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| 规格书 |
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| 文档 |
IRF6201PBF Spice Model IRF6201PBF Saber Model Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 27A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.45 mOhm @ 27A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.1V @ 100µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 195nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 8555pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SO |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 27 A |
| RDS -于 | 2.45@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 29 ns |
| 典型上升时间 | 100 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 320 ns |
| 典型下降时间 | 265 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 27A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.1V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.45 mOhm @ 27A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8555pF @ 16V |
| 其他名称 | IRF6201TRPBFTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 195nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 案例 | SO8 |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 2.5W |
| Drain-source voltage | 20V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 27A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.04 g |
| Collective package [pcs] | 30 |
| spg | 30 |
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