图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:10001 |
|
最小起订金额:￥1575 马来西亚吉隆坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 IRF1902PbF |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 700mV @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 7.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 310pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 85@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 4.2 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 700mV @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 4,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 310pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 7.5nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF1902TRPBFCT |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 12 V |
| 连续漏极电流 | 4.2 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 85 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 5 nC |
IRF1902TRPBF也可以通过以下分类找到
IRF1902TRPBF相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家