图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 AUIRL3705N |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 4.83(Max) |
| PCB | 3 |
| 筛选等级 | Automotive |
| 最大功率耗散 | 170000 |
| 最大漏源电压 | 55 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 10@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.67(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 9.02(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 89 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| 系列 | * |
| 标准包装 | 50 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 10.66 x 4.82 x 16.51mm |
| 身高 | 16.51mm |
| 长度 | 10.66mm |
| 最大连续漏极电流 | 89 A |
| 最大漏源电阻 | 0.018 Ω |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 170 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 98 nC V @ 5 |
| 典型输入电容@ VDS | 3600 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 宽度 | 4.82mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 16 V |
| 连续漏极电流 | 89 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 10 mOhms |
| 功率耗散 | 170 W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 65.3 nC |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 漏源导通电阻 | 0.01 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 案例 | TO220AB |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 170W |
| Drain-source voltage | 55V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 89A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 1.54 g |
| Collective package [pcs] | 30 |
| spg | 30 |
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