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厂商型号

AUIRGR4045D 

产品描述

IGBT Transistors 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH

内部编号

176-AUIRGR4045D

订购说明

质量保障

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AUIRGR4045D产品详细规格

规格书 AUIRGR4045D datasheet 规格书
AUIRG(R,U)4045D
文档 AUIRGR4045D Saber Model
AUIRGR4045D Spice Model
系列 *
标准包装 75
渠道类型 N
配置 Single
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
身高 2.39mm
长度 6.73mm
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 12 A
最大栅极发射极电压 ±20V
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 77 W
最低工作温度 -55 °C
安装类型 Surface Mount
包装类型 D-PAK
引脚数 3
Switching Speed 30kHz
宽度 6.22mm
RoHS指令 Compliant
工厂包装数量 75
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
连续集电极电流在25 C 12 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 77 W
封装 Tube
封装/外壳 DPAK
RoHS RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 12 A
集电极 - 发射极电压 600 V
安装 Surface Mount
工作温度(最大) 175C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No

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