图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 AUIRFR3504 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大漏源电阻 | 9.2@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 筛选等级 | Automotive |
| 最大功率耗散 | 140000 |
| 最大连续漏极电流 | 87 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 系列 | * |
| 标准包装 | 75 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain |
| 外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 身高 | 2.39mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大连续漏极电流 | 87 A |
| 最大漏源电阻 | 9.2 mΩ |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装类型 | TO-252AA |
| 典型栅极电荷@ VGS | 48 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2150 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 宽度 | 6.22mm |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 87 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 9.2 mOhms |
| 功率耗散 | 140 W |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 48 nC |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :56A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0078ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :140W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-252AA |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Weight (kg) | 0.0045 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 案例 | DPAK |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 140W |
| Drain-source voltage | 40V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 87A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.62 g |
| Collective package [pcs] | 30 |
| spg | 30 |
| associated | AUIRFR3504 573100D00000G D00343 FK 244 13 D PAK 3209885-M IR2117SPBF |
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