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数量:90 |
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| 规格书 |
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| 文档 |
Multiple Devices 25/Apr/2014 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 700mV @ 250µA |
| 系列 | * |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 95 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 310pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 7.5nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 配置 | Single Quint Source |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 5.6 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 85 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 栅极电荷Qg | 7.5 nC |
| 上升时间 | 13 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 19 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.2A (Ta) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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