SPN02N60S5

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MOSFET TRANSISTOR

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规格书	SPN02N60S5
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品培训模块
标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	400mA
Rds（最大）@ ID，VGS	3 Ohm @ 1.1A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5.5V @ 80µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	7.4nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	250pF @ 25V
功率 - 最大	1.8W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装	PG-SOT223-4
包装材料	Tape & Reel (TR)
FET特点	Standard
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	400mA (Ta)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	5.5V @ 80µA
漏极至源极电压（Vdss）	600V
标准包装	1,000
供应商设备封装	PG-SOT223-4
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	3 Ohm @ 1.1A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.8W
封装/外壳	TO-261-4, TO-261AA
输入电容（Ciss ） @ VDS	250pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	7.4nC @ 10V

型号	厂家	产品描述
SPN02N60S5NT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
SPN02N60S5XT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
SPN02N60C3	Infineon Technologies	MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V .4A
SPN02N60C3	rochester electronics
SPN02N60C3 E6433	Infineon Technologies	MOSFET COOL MOS
SPN02N60C3E6433XT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
SPN02N60C3NT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
SPN02N60C3T	Infineon Technologies AG
SPN02N60C3XT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

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