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规格书 |
IPB(I,P)80N06S3L-08 |
文档 |
Multiple Devices 22/Jul/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.9 mOhm @ 43A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 55µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 134nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6475pF @ 25V |
功率 - 最大 | 105W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 55µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 7.9 mOhm @ 43A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 105W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6475pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 134nC @ 10V |
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