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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPP200N25N3 G 

产品描述

MOSFET N-channel POWER MOS

内部编号

173-IPP200N25N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:2624
50+¥37.052
最小起订量:50
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:2773
1+¥37.95
10+¥34.24
25+¥32.66
最小起订量:1
英国伦敦
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#3

数量:2624
1+¥37.95
10+¥34.24
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPP200N25N3 G产品详细规格

规格书 IPP200N25N3 G datasheet 规格书
IPx200N25N3 G
IPP200N25N3 G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 250V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 64A
Rds(最大)@ ID,VGS 20 mOhm @ 64A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 270µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 86nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 7100pF @ 100V
功率 - 最大 300W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 64A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 270µA
漏极至源极电压(Vdss) 250V
供应商设备封装 TO-220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 20 mOhm @ 64A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
标准包装 500
输入电容(Ciss ) @ VDS 7100pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 86nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3
类别 High Frequency Switching, Synchronous Rectification
通道模式 Enhancement
渠道类型 N
配置 Single
外形尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm
身高 4.57mm
长度 10.36mm
最大连续漏极电流 64 A
最大漏源电阻 20 mΩ
最大漏源电压 250 V
最大门源电压 ±20 V
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 300 W
最低工作温度 -55 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 PG-TO-220-3
引脚数 3
典型栅极电荷@ VGS 64 nC V @ 0 → 10
典型输入电容@ VDS 5340 pF V @ 100
典型关闭延迟时间 45 ns
典型导通延迟时间 18 ns
宽度 15.95mm
RoHS指令 Compliant
安装风格 Through Hole
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 64 A
系列 IPP200N25
封装/外壳 TO-220-3
RDS(ON) 20 mOhms
功率耗散 300 W
下降时间 12 ns
商品名 OptiMOS
正向跨导 - 闵 122 S, 61 S
零件号别名 IPP200N25N3GXKSA1 SP000677894
上升时间 20 ns
漏源击穿电压 250 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 64 nC
Continuous Drain Current Id :64A
Drain Source Voltage Vds :250V
On Resistance Rds(on) :0.0175ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :300W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
工作温度范围 :-55°C to +175°C
Weight (kg) 0.003184
Tariff No. 85044090

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