图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 IPx16CNE8N G |
| 文档 |
Multiple Devices 11/Dec/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 85V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 53A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 16.5 mOhm @ 53A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 61µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 48nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3230pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 53A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 61µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 85V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 16.5 mOhm @ 53A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3230pF @ 40V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 48nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 53A (Tc) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
IPP16CNE8N G也可以通过以下分类找到
IPP16CNE8N G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家