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规格书 |
IPI04N03LA, IPP04N03LA |
文档 |
Multiple Devices 04/Jun/2009 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 25V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4.2 mOhm @ 55A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 60µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 32nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3877pF @ 15V |
功率 - 最大 | 107W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 25 V |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 80 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 6.7 m Ohms |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220AB |
封装 | Tube |
下降时间 | 5.4 ns |
正向跨导gFS (最大值/最小值) | 85 S / 43 S |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 107 W |
上升时间 | 4.5 ns |
工厂包装数量 | 500 |
典型关闭延迟时间 | 38 ns |
寿命 | Obsolete |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 60µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4.2 mOhm @ 55A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 107W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3877pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 32nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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