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规格书 |
IPx33-35CN10N G |
文档 |
Multiple Devices 26/Jul/2012 |
产品更改通知 | Product Discontinuation 26/Jul/2012 |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 27A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 35 mOhm @ 27A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 29µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 24nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1570pF @ 50V |
功率 - 最大 | 58W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
包装材料 | Tube;;其他的名称; |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 27A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 29µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 35 mOhm @ 27A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 58W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1570pF @ 50V |
其他名称 | SP000208936 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 24nC @ 10V |
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