1. IPI35CN10N G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPI35CN10N G 

产品描述

MOSFET N-CH 100V 27A

内部编号

173-IPI35CN10N-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:0
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美国费城
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IPI35CN10N G产品详细规格

规格书 IPI35CN10N G datasheet 规格书
IPx33-35CN10N G
文档 Multiple Devices 26/Jul/2012
产品更改通知 Product Discontinuation 26/Jul/2012
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 27A
Rds(最大)@ ID,VGS 35 mOhm @ 27A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 29µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 24nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1570pF @ 50V
功率 - 最大 58W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装 PG-TO262-3
包装材料 Tube;;其他的名称;
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 27A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 29µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
标准包装 500
供应商设备封装 PG-TO262-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 35 mOhm @ 27A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 58W
封装/外壳 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
输入电容(Ciss ) @ VDS 1570pF @ 50V
其他名称 SP000208936
闸电荷(Qg ) @ VGS 24nC @ 10V

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