图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 3.9 A |
| 系列 | XPD80R1 |
| RDS（ON） | 1.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 63 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 栅极电荷Qg | 23 nC |
| 零件号别名 | SP001130972 |
| 上升时间 | 15 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| 宽度 | 6.22 mm |
| Qg - Gate Charge | 23 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | CoolMOS |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 3.9 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4 Ohms |
| 身高 | 2.3 mm |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| Pd - Power Dissipation | 63 W |
| 技术 | Si |
IPD80R1K4CEATMA1相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
