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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD50N06S2L13ATMA1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252

内部编号

173-IPD50N06S2L13ATMA1

生产厂商

Infineon Technologies AG

infineon

#1

 数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货，5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

IPD50N06S2L13ATMA1产品详细规格

最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 6.22
PCB 2
最大功率耗散 136000
最大漏源电压 55
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 12.7@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-252
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 6.5
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 2.3
最大连续漏极电流 50
标签 Tab
铅形状 Gull-wing

IPD50N06S2L13ATMA1系列产品

型号厂家产品描述
IPD50N06S2L-13 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S2-14 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S214ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S3-07 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.9mOhms
IPD50N06S3-09 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms
IPD50N06S3-15 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 15mOhms
IPD50N06S307XT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S307ZT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
IPD50N06S309XT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S309ZT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
IPD50N06S315XT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S315ZT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
IPD50N06S3L-06 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.0mOhms
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IPD50N06S3L06XT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S3L06ZT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
IPD50N06S3L08XT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S3L13XT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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