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  2. IPD30N03S4L09ATMA1

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD30N03S4L09ATMA1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

内部编号

173-IPD30N03S4L09ATMA1

生产厂商

Infineon Technologies AG

infineon

#1

 数量:1100
2500+¥2.118
最小起订量:2500
英国伦敦
当天发货，5-8个工作日送达.
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#2

 数量:594
1+¥5.45
10+¥4.55
100+¥2.94
1000+¥2.36
2500+¥1.99
10000+¥1.91
最小起订量:1
新加坡
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#3

 数量:594
1+¥5.45
10+¥4.55
100+¥2.94
1000+¥2.36
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

IPD30N03S4L09ATMA1产品详细规格

最大门源电压 ±16
安装 Surface Mount
包装宽度 6.22
PCB 2
筛选等级 Automotive
最大功率耗散 42000
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 9@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-252
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 6.5
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 2.3
最大连续漏极电流 30
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing

IPD30N03S4L09ATMA1系列产品

型号厂家产品描述
IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V
IPD30N03S4L-14 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD30N03S2L-07 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 6.7mOhm
IPD30N03S2L-10 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD30N03S2L-20 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 20mOhms
IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD30N03S2L10ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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IPD30N06S2L-13 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD30N06S2L-23 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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IPD30N06S2L23ATMA2 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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订购IPD30N03S4L09ATMA1.产品描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R. 生产商: Infineon Technologies AG.芯天下有低价

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